拓荆科技:腔体

本文是《存储》系列的第八篇。

我们上一篇写了模组厂佰维存储，这一篇我们回到上游的设备一侧，看一下为国内晶圆厂提供介质薄膜沉积设备的拓荆科技。

真空腔里才能长出完美的膜，只有抽走空气，反应气体才能笔直地落在晶圆上。拓荆科技，也是在一间腔体里长起来的。出口管制抽走了中国市场里的海外对手，留下一个真空。

公司历史

拓荆科技成立于2010年4月的辽宁省沈阳市。发展至今的十六年大致可以分为四个阶段：

2010—2014：成立

公司设立时，中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（下称中科仪）出资600万元持股60%，孙丽杰认缴400万元持股40%。其中孙丽杰所持股权系代海外专家姜谦（美国布兰迪斯大学博士，曾任职于英特尔和诺发系统）持有。拓荆的两项奠基性专利是就是姜谦发明的。

PECVD设备在物理构成上可拆为三个系统：真空腔体系统、射频等离子体系统、气体输运系统。海外团队带回的工艺know-how，是关于何种气体配比、功率、温度与压力条件下能生长出符合要求的膜层。但工艺必须运行在硬件之上，而这三个系统中最基础、也最难从零起步的是真空系统，这是由主营业务是干式真空泵与真空科学仪器设备的中科仪提供的。

2011年首台12英寸PECVD设备出厂至中芯国际验证，2013年PF-300T通过中芯国际产品线测试，2014年获得中芯国际首台量产机台订单。从设立到首台量产订单历时约四年，对前道设备而言是较快的节奏，这是由于拓荆并不是从零开始的，他们已经有成熟工艺know-how在手。

2014—2022：股权分散、国资主导

2014年1月，孙丽杰将其代持的40%股权按转让给姜谦等五名外籍专家及四个员工持股平台，公司随之变更为中外合资企业。同年5月完成第一轮融资，此后股权持续分散。

至首次公开发行前，第一大股东为国家集成电路产业投资基金（下称大基金一期），持股26.48%；第二大股东国投上海持股约13.54%。原始发起方中科仪则被稀释至极低水平，截至2025年6月末仅剩1.53%，且已作为交易性金融资产核算。

这一阶段还进入了一个特殊股东：中微公司。它同时是薄膜沉积设备领域的国内同业，且双方之间存在远超股东关系的业务往来，这一点在后面第5节中展开。

2022年4月20日拓荆科创板上市：发行价71.88元／股，发行新股3,162万股，募集资金总额22.73亿元，净额约21.28亿元。募投方向为高端半导体设备扩产、先进半导体设备技术研发与改进、原子层沉积设备研发与产业化三项。

2022—2024：扩张及风险

上市后两年是收入增长最快的时期。营业收入从2022年17.06亿元增至2024年41.03亿元。产品线也在此期间扩展，混合键合设备于2022年出厂，ALD实现产品化突破。

但这一阶段同时暴露了两个风险。一是产能。沈阳一厂年产能约300至350台套，而2024年实际生产设备342台，已运行至产能上限附近。其二是供应链的法律风险。2024年12月，美国商务部工业与安全局（BIS）新增一批实体，本轮共约140家（其中中国企业136家），拓荆科技及其部分子公司在列。让拓荆获取上游进口件零部件受限。

这一阶段，公司面临的问题不是订单不足，而是能否把订单造出来、以及造设备所需的零部件能否稳定获得。

2024年至今：平台化尝试

公司在这个阶段的两个大动作发生都发生在今年。

2026年6月，公司完成2025年度向特定对象发行股票，募集资金总额46亿元、净额45.58亿元，12家对象获配，其中大基金三期主体国投集新获配8.50亿元。资金投向为高端半导体设备产业化基地建设15亿元、前沿技术研发中心建设20亿元、补充流动资金11亿元。第二个动作是横向并购。拓荆筹划以发行股份及支付现金方式收购无锡尚积半导体控股权。标的主营物理气相沉积（PVD）、刻蚀（ETCH）与化学气相沉积（CVD）设备。

可以看到公司的方向是明确的。PVD与刻蚀是现有产品线缺失的两个环节。若完成，公司将从单一薄膜沉积设备商向“沉积＋刻蚀”的平台公司靠拢。

管理层

虽然拓荆的股权高度分散，但由于存在稳定的核心技术团队，能够通过技术不可替代性实现事实上的经营主导。

从PECVD到SACVD、HDPCVD，再到ALD与键合，十六年间均为围绕介质薄膜的同心圆扩张，未出现多元化跳跃。

人事交接的方式也很稳健。姜谦自2010年设立起任总经理，2017年9月因年龄原因主动卸任、转任董事长，推荐已任副总经理约三年的吕光泉接任；2021年1月他再次主动不再出任董事长，吕光泉接任董事长，并提名已任副总经理近三年的田晓明为总经理。两次交棒均为在任者主动提出、接任者内部培养、卸任者不离开公司。

截至2025年末，公司研发人员726人，占员工总数42.81%，硕博占研发人员约67%。员工总数同比增长约10.7%，而同期收入增长58.87%，人均创收显著提升，说明收入增长来自既有团队与产能的产出释放，而非人员扩张驱动。

2022年拓荆的股票增值权计划以2021年为业绩基数，设定营业收入增长率在2022至2025年的目标值分别为100%、200%、300%、400%。公司2021年营业收入7.58亿元，据此推算，该计划隐含的2025年营收目标约为37.9亿元。而2025年实际营业收入65.19亿元，超出该目标约72%。它说明2022年制定计划时，管理层对未来四年增长斜率的判断显著低于实际发生的斜率。换言之，2022至2025年间中国晶圆厂对国产薄膜沉积设备的采购加速程度，超出了身处产业内部的供应商自己的预期。

产品与客户

薄膜沉积是在晶圆表面形成功能性薄层的工艺环节，与光刻、刻蚀并列为前道三大主要环节。按沉积方式分为物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD）两大类，CVD又按能量来源与工作条件细分为等离子体增强（PECVD）、次常压（SACVD）、高密度等离子体（HDPCVD）等；原子层沉积（ALD）则以单原子层为单位逐层生长，用于对厚度均匀性要求极高的场景。拓荆的产品线覆盖除PVD外的上述全部类别。

拓荆目前在事实上是一家单一产品线公司，主产品就是PECVD。2025年，PECVD系列营收51.42亿元，同比增长75.27%，占营业收入78.88%。基于PF-300T Plus与PF-300M平台开发的ONO叠层、无定形碳硬掩膜等产品，已批量通过先进存储与先进逻辑客户验证。ALD与混合键合合计占比约6.7%。后两者增速虽高，但基数过低，两至三年内无法改变收入结构。定增募资20亿元投向前沿技术研发中心，针对的正是这个结构。

客户的名单很长，但出钱的是少数几家。中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹、士兰微、燕东微等主流晶圆厂都是客户，但2025年前五大客户销售额占比跳升至79.15%（2023–2024年还在40%–50%区间）。110亿在手订单、合同负债+62.66%互为印证，指向存储厂的大额扩产，说明这是存储与先进逻辑大客户在2025年集中采购的结果。

设备的生意通常验证周期1–2年，一旦进入产线并承担量产，切换成本极高。混合键合设备Dione 300出现客户复购；在手订单从2023年末约64.23亿元增至2025年末约110亿元。

复购与订单积累证明了用户黏性的存在，但是黏性与定价权不是同一件事。黏性意味着客户不会轻易更换供应商，它保障的是订单的连续性，定价权意味着供应商能在不损失订单的前提下维持或提高价格。若同一工艺环节上存在两家以上已完成验证的国产厂商，切换成本对单独一家的保护作用就大幅衰减。因为客户不需要重新验证，只需在两家已验证的供应商之间调整份额。

而在拓荆核心的PECVD环节，国内已验证供应商的数量正在从一家变为多家。

工厂与制造

拓荆本质上是一家业务覆盖设计、组装和调试的公司。制造模式方面，公司核心结构件自主研发设计，标准件外购，内部加工与外协的具体比例未披露。

公司在沈阳、上海临港、海宁设有研发与产业化基地。沈阳一厂年产能约300至350台套；上海临港一厂约80台套；上海临港二厂约支撑400台套，2025年6月正式启用，投资近十亿元，由2020年12月设立的全资子公司拓荆科技（上海）建设，定位为开发先进ALD薄膜工艺技术及高产能设备平台；海宁拓荆键科承载键合设备业务，公司持股55%，2024年11月获大基金三期增资4.50亿元。

在此基础上还有两处在建产能。沈阳二厂于2025年3月开工，2026年8月10日主体结构封顶，占地147亩、总建筑面积15.6万平方米、总投资近18亿元，由公司与全资子公司拓荆创益共同投资，计划2028年投产；建成后沈阳基地年产能将提升至1300台套。这一项目对应的正是2025年度定增募投中的”高端半导体设备产业化基地建设”。

将产能数字与产量对照，2024年公司生产设备342台。当年可用产能为沈阳一厂350台套加上海临港一厂80台套，合计约430台套，产能利用率约80%。这与董事长在2026年7月8日业绩说明会上”整体产能利用率保持在良性健康水平”的表述一致。而随着上海临港二厂于2025年6月启用，总产能提升至700台套以上，相对2024年的产量水平约有一倍余量。

因此制造端并不构成当前的经营约束。在手订单向收入转化的速度，取决于客户产线的安装、调试与验收节奏，而非公司的制造能力。

真正值得注意的是它的扩张节奏。公司在产能利用率约80%、且上海临港二厂刚刚使总产能翻倍的情况下，仍投入近18亿元建设2028年才投产的沈阳二厂，规划将沈阳单地产能提升至1300台套。若三地产能全部落地，公司总产能将达到2024年产量的五倍以上。

这个动作可以解读为对未来五年国内晶圆厂持续扩产的押注。

竞争格局

先看一下全球的整体情况。

PECVD、SACVD、HDPCVD合计占收入约79%，这是拓荆最稳的一块。国内目前没有第二家实现集成电路PECVD与SACVD产业化的厂商，北方华创的PECVD历史上主要应用于光伏与LED领域，正在向前道IC导入；盛美上海在研发PECVD，但短期内难以贡献明显收入。这条线的真实对手在海外，应用材料、泛林、东京电子，三家合计占全球CVD市场约七成。

ALD（占收入约4.6%，增速191.82%）这块，是国内竞争最密集的环节。海外对手是ASM International与东京电子，两家合计占全球ALD市场约六成。国内则同时有三家在推进：北方华创的Thermal-ALD已在28纳米节点实现产业化应用，PE-ALD在验证中；中微公司已开始确认LPCVD/ALD收入，2025年薄膜沉积设备收入约5.06亿元、同比增长约224%；微导纳米体量较小，仍处于晶圆制造设备商业化的早期阶段。

混合键合（占收入约2.1%）主要是海外厂商的天下。荷兰BESI在混合键合设备市场2023年市占率约67%、2024年约70%，全球前五大厂商合计约86%；奥地利EVG是晶圆对晶圆路线的龙头，德国SUSS、日本东京电子、ASMPT、库力索法各有分工。国内目前只有拓荆实现了量产级W2W混合键合设备出货，其余包括芯慧联、迈为股份、青禾晶元、北方华创，多处于客户验证或小批量试产阶段；芯源微则布局临时键合与解键合。整体国产化率不足10%。

PVD在国内由北方华创主导，其PVD设备市场份额第一并在该品类保持垄断。这正是拓荆收购无锡尚积的直接动因。

值得注意的是，中国半导体设备公司之间的关系不是标准的市场竞争关系。

中微公司同时是拓荆的股东、技术授权方与竞争对手。2010年拓荆获中微授权，以中微的300毫米CVD系统控制软件源代码参考包为基础开发自身设备的控制软件，按销售台数付许可费；2014年起又获授权使用中微的自动化软件包；2017年起委托中微下属公司以中微的管理系统与业务流程为模板搭建SAP、OA、PLM，2020年起才迁移至无关联第三方；2018年起由中微台湾分公司代理其台湾地区销售。中微持股一度达11.20%，现约7.3%，其董事长尹志尧至今仍任拓荆董事。

另外，拓荆的原始控股发起方中科仪，其干式真空泵目前同时供应中芯国际、长江存储、华虹、长鑫存储等晶圆厂，以及北方华创、拓荆科技等设备厂。也就是说，拓荆与北方华创在整机市场上竞争，却共用同一家关键零部件供应商，而这家供应商还是拓荆的创始股东。国产替代在零部件层面的稀缺性，使得同业不得不共享同一条供应链。

还有，友商们共享同一个大股东，国家集成电路产业投资基金。它在拓荆、北方华创、中微公司等主要设备厂商中均持有重要股份，大基金三期又同时加持了拓荆母公司与子公司。竞争者共享最大股东，意味着行业的产能扩张不由分散的市场主体独立决策，而在相当程度上受同一资本来源的节奏影响。这会削弱通常意义上竞争会自发出清过剩产能的机制。

还有一层地理上的关系是，拓荆总部所在的沈阳同时是中科仪、芯源微（涂胶显影设备）、新松（真空机械手）的所在地，形成了一个规模不大但配套相对完整的本地产业集群。

拓荆的产品几乎不出海，但它的客户仍然在买海外设备。

我们之前说过，设备通过验证进入量产线后客户切换成本极高。这条机制在国内保护拓荆，但在海外，台积电、三星、英特尔、美光的产线上，应用材料、泛林、东京电子的设备已经运行了几十年，工艺数据库、备件体系、服务团队全部成形。一家没有海外量产记录的新供应商要挤进去，需要客户先付出数个季度的验证成本，而客户没有理由付这个成本。

但国内晶圆厂仍然可以买海外设备，只是范围被划定了。在先进制程环节，国内晶圆厂的海外采购渠道已被显著压缩，国产设备是少数可行选项；在成熟制程环节，海外设备仍然可以买，国内厂商就要和海外设备厂家在性能、价格与服务上正面竞争。拓荆的PECVD产品覆盖成熟制程与先进制程两端。券商与媒体估计拓荆产品价格约为进口设备的70%，这个折价在先进制程环节是无替代选择下的定价，在成熟制程环节则是与在场对手竞争的定价，两者性质不同。但在公司未披露分制程收入结构。

尾声

拓荆科技是一家由中科院真空腔托底的沈阳企业，和一支从诺发体系出走的海归团队的结合。它的客户全部在国内，订单集中在几个大厂。

它在这轮窗口期中，不断在发展壮大自己，但同时中微的LPCVD收入在翻倍，北方华创的CVD在爬坡，海外友商也在等着政策松动的任何迹象。

下一篇，我们会对存储领域，整体做一个总结。

主要信源：拓荆科技招股说明书，2023—2025年年度报告，2026年第一季度报告，投资者关系活动记录表及业绩说明会记录，2025年度向特定对象发行股票发行情况报告书，2022年股票增值权计划及2025年限制性股票激励计划公告，中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司招股说明书，北方华创年度报告，中微公司年度报告，美国商务部工业与安全局实体清单公告，Lam Research公司公告，巨潮资讯网及上交所公告，中国半导体行业协会，证券时报，界面新闻

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